<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'>
<identifier identifierType='DOI'>10.5281/zenodo.2629542</identifier>
<creators>
<creator>
<creatorName>Mileșko, L.P.</creatorName>
<affiliation>Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону, Rusia</affiliation>
</creator>
</creators>
<titles>
<title xml:lang='ru'>Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния</title>
</titles>
<publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher>
<publicationYear>2019</publicationYear>
<relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier>
<subjects>
<subject>анодное окисление</subject>
<subject>анодные оксидные пленки</subject>
<subject>анодирование кремния</subject>
<subject>анодирование карбида кремния</subject>
<subject>анодирование нитрида кремния</subject>
<subject>Anodic oxidation</subject>
<subject>anodic oxide films</subject>
<subject>silicon anodizing</subject>
<subject>silicon carbide anodizing</subject>
<subject>silicon
nitride anodizing</subject>
<subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>541.13:621.315.592.3</subject>
</subjects>
<dates>
<date dateType='Issued'>2019-05-01</date>
</dates>
<resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType>
<descriptions>
<description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'><p>Показано, что в гальваностатическом режиме электролитического анодирования Si, SiC и Si3N4 образование их анодных оксидов протекает с активационным контролем процесса. Выдвинуто предположение о том, что лимитирующей стадией процесса оксидирования данных материалов является анодная реакция образования промежуточного монооксида SiO.</p></description>
<description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'><p>It is shown that in the galvanostatic mode of electrolytic anodizing of Si, SiC, and Si3N4 the formation of their anodic oxides proceeds with the activation control of the process. It is suggested that the limiting stage of the oxidation process of these materials is the anodic reaction of the formation of intermediate monoxide SiO.</p></description>
</descriptions>
<formats>
<format>application/pdf</format>
</formats>
</resource>