Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
76 1
Ultima descărcare din IBN:
2019-07-23 12:02
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
541.13:621.315.592.3 (1)
Chimie. Cristalografie. Mineralogie (680)
Electrotehnică (541)
SM ISO690:2012
МИЛЕШКО, Л.. Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния. In: Электронная обработка материалов. 2019, nr. 2(55), pp. 23-26. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 2(55) / 2019 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Общность кинетики и механизмов гальваностатического анодного окисления кремния, карбида и нитрида кремния


CZU: 541.13:621.315.592.3
DOI: 10.5281/zenodo.2629542
Pag. 23-26

Милешко Л.
 
Южный федеральный университет, Ростов-на-Дону
 
Disponibil în IBN: 5 mai 2019


Rezumat

Показано, что в гальваностатическом режиме электролитического анодирования Si, SiC и Si3N4 образование их анодных оксидов протекает с активационным контролем процесса. Выдвинуто предположение о том, что лимитирующей стадией процесса оксидирования данных материалов является анодная реакция образования промежуточного монооксида SiO.

It is shown that in the galvanostatic mode of electrolytic anodizing of Si, SiC, and Si3N4 the formation of their anodic oxides proceeds with the activation control of the process. It is suggested that the limiting stage of the oxidation process of these materials is the anodic reaction of the formation of intermediate monoxide SiO.

Cuvinte-cheie
анодное окисление, анодные оксидные пленки, анодирование кремния, анодирование карбида кремния, анодирование нитрида кремния,

Anodic oxidation, anodic oxide films, silicon anodizing, silicon carbide anodizing, silicon nitride anodizing