Formarea peliculelor de oxizi pe suprafaţa siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acţiune indirectă
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
88 0
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.0.484.755 (1)
Construcția de mașini în general. Tehnică nucleară. Electrotehnică. Tehnologie mecanică (979)
SM ISO690:2012
TOPALĂ, Pavel; MELNIC, Vasile; GUZGAN, Dorin. Formarea peliculelor de oxizi pe suprafaţa siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acţiune indirectă. In: Inginerie agrară şi transport autoMaterialele Simpozionului Ştiinţifico-Practic Internaţional „Realizări şi perspective în inginerie agrară şi transport auto”. Vol.45, 12-13 noiembrie 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Agrară de Stat din Moldova, 2015, pp. 249-252. ISBN 978-9975-64-276-7.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Inginerie agrară şi transport auto
Vol.45, 2015
Simpozionul "Inginerie agrară şi transport auto"
Chișinău, Moldova, 12-13 noiembrie 2015

Formarea peliculelor de oxizi pe suprafaţa siliciului cu aplicarea plasmei descărcărilor electrice în impuls de acţiune indirectă


CZU: 621.0.484.755
Pag. 249-252

Topală Pavel1, Melnic Vasile2, Guzgan Dorin1
 
1 Universitatea de Stat „Alecu Russo“ din Bălţi,
2 Universitatea Tehnică a Moldovei
 
Disponibil în IBN: 22 martie 2019


Rezumat

Oxidation of semiconductor surface by means of electrical discharges in impulse in air has been realized under normal conditions. It is shown that the morphology of oxide films depends on the processing power. The quantity of oxygen absorbed by semiconductor surface depends on discharge frequency and number of discharges.

Cuvinte-cheie
oxidation, oxide films, surface, discharge