Proprietățile de transport ale compușilor cuaternari Cu2ZnGeS(Se)4
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
14 0
SM ISO690:2012
HAJDEU-CHICAROSH, Elena. Proprietățile de transport ale compușilor cuaternari Cu2ZnGeS(Se)4. In: Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători. 10 martie 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Academiei de Ştiinţe a Moldovei, 2015, p. 36.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători 2015
Conferința "Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători"
Chișinău, Moldova, 10 martie 2015

Proprietățile de transport ale compușilor cuaternari Cu2ZnGeS(Se)4


Pag. 36-36

Hajdeu-Chicarosh Elena
 
Institutul de Fizică Aplicată al AŞM
 
Disponibil în IBN: 14 februarie 2019



Teza

În scopul determinării proprietăților de transport ale compușilor Cu2ZnGeS(Se)4 (CZGS(Se)) promițători pentru fotovoltaică [1], au fost măsurate și analizate dependențele de tepmeratură ρ(T), în intervalul 10 – 300 K. Conform analizei efectuate, s-a stabilit că în aceste cristale cel mai probabil se realizează două tipuri de conductibilitate: conductibilitatea prin salt pe vecinii apropiați între aproximativ 150 – 300 K (dar nu poate fi exclusă nici posibilitatea realizării conductibilității prin activarea purtătorilor de sarcină din nivel în bandă) și conductibilitatea cu lungime variabilă a saltului de tip Mott [2] între 70 K și 200 K. În cadrul teoriei conductibilității de tip Mott au fost determinați parametrii microscopici, conform cărora probele de CZGSe se află în apropierea tranziției metal – izolator (MIT) cu valorile concentrației acceptorilor apropiate de concentrația critică de tranziție MIT N/Nc ̴ 0,84 – 0,87 și valorile raportului a/a0 ̴ 6,2-7,2 ˃˃ 1, pe cînd probele de CZGS se află departe de această tranziție cu valori mici ale raportului N/Nc ̴0,1 – 0,2 și cu a/a0 ̴1,2 ˃ 1. Valoarea mare a lățimii zonei stărilor localizate de ̴ 300 meV pentru probele cu sulf presupune un grad înalt al dezordinii microscopice. Pentru probele cu Se, folosind aproximarea densității de stări în banda de defecte au fost estimate valorile permiabiliatății dielectrice departe de tranziția MIT, a densității stărilor în banda de defecte, a poziției energetice a centrului benzii de defecte, a razei de localizare a impurităților acceptoare, a concentrației acceptorilor, a concentrației critice de MIT și a poziției energetice a pragului de mobilitate. Aceste valori sunt apropiate de cele existente în literatură calculate pentru cristalele din aceeași clasă de compuși.