Articolul precedent |
Articolul urmator |
545 1 |
Ultima descărcare din IBN: 2020-09-10 12:57 |
SM ISO690:2012 CURMEI, Nicolai. Eficienţa structurii ITO/SiO2/n-Si în dependenţă de parametrii componentelor acestea. In: Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători, Ed. 4, 10 martie 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Academiei de Ştiinţe a Moldovei, 2015, Ediția 4, T, p. 34. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători Ediția 4, T, 2015 |
|||||
Conferința "Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători" 4, Chișinău, Moldova, 10 martie 2015 | |||||
|
|||||
Pag. 34-34 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Teza |
|||||
Spre deosebire de joncţiunea p-n în care interfaţa este situată în volumul semiconductorului, starea de frontieră în toate tipurile de heterojoncţiuni depinde puternic de suprafeţele de contact ale materialelor semiconductoare, deoarece în aceste structuri interfaţa coincide cu suprafaţa materialelor de contactare. În special, în cazul structurilor de tip SIS (de exemplu, ITO/SiO2/n-Si), care sunt utilizate pentru conversia fotovoltaică a energiei solare în energie electrică, eficienţa acestora depinde foarte mult de starea suprafeţei Si, de transparenţa ITO şi de parametri electrofizici ale componentelor menţionate. Reieşind din aceste considerente, scopul lucrării este studiul dependenţilor menţionate. Prelucrarea unei suprafeţe a plachetei de siliciu pe care urma să fie depuse straturile subţiri ITO (în toate cazurile a fost latura lustruită a plachetei) a demonstrat că eficienţa maximă se obţine în cazul tratării suprafeţei de Si în HF timp de 2 minute. Factorul principal, care determină cantitatea energiei solare incidente absorbită în Si, este transparenţa ITO, care variază în dependenţa de grosimea acesteia. S-a demonstrat, eficienţa maximală de conversie a radiaţiei solare în energie electrică o posedă probele cu grosimea stratului ITO de 0.2 – 0.3μm. Dependenţa parametrilor fotovoltaici ai structurilor ITO/SiO2/n-Si de parametri electrofizici ai siliciului este de aşteptat să fie cea mai puternică, deoarece siliciu este principala componentă a structurii, fiind absorbantul radiaţiei solare şi fiind regiunea, unde au loc principalele procese fizice ce asigură conversia fotovoltaică a acestei iradieri. Din aceste considerente reiese că cu cât valoarea numerică a lungimii de difuzie este mai mare, cu atât mai mult este asigurată separarea purtătorilor de sarcină de joncţiunea dispozitivului. Rezultatul obţinut demonstrează necesitatea de utilizare în formarea joncţiunilor cu destinaţie fotovoltaică a plachetelor de siliciu cu lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină de neechilibru nu mai mică de 150 μm. |
Dublin Core Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'> <dc:creator>Curmei, N.N.</dc:creator> <dc:date>2015</dc:date> <dc:source>Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători (Ediția 4, T) 34-34</dc:source> <dc:title>Eficienţa structurii ITO/SiO2/n-Si în dependenţă de parametrii componentelor acestea</dc:title> <dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type> </oai_dc:dc>