Eficienţa structurii ITO/SiO2/n-Si în dependenţă de parametrii componentelor acestea
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
195 1
Ultima descărcare din IBN:
2020-09-10 12:57
SM ISO690:2012
CURMEI, Nicolai. Eficienţa structurii ITO/SiO2/n-Si în dependenţă de parametrii componentelor acestea. In: Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători. 10 martie 2015, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Academiei de Ştiinţe a Moldovei, 2015, p. 34.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători 2015
Conferința "Tendinţe contemporane ale dezvoltării ştiinţei: viziuni ale tinerilor cercetători"
Chișinău, Moldova, 10 martie 2015

Eficienţa structurii ITO/SiO2/n-Si în dependenţă de parametrii componentelor acestea


Pag. 34-34

Curmei Nicolai
 
Institutul de Fizică Aplicată al AŞM
 
Disponibil în IBN: 14 februarie 2019



Teza

Spre deosebire de joncţiunea p-n în care interfaţa este situată în volumul semiconductorului, starea de frontieră în toate tipurile de heterojoncţiuni depinde puternic de suprafeţele de contact ale materialelor semiconductoare, deoarece în aceste structuri interfaţa coincide cu suprafaţa materialelor de contactare. În special, în cazul structurilor de tip SIS (de exemplu, ITO/SiO2/n-Si), care sunt utilizate pentru conversia fotovoltaică a energiei solare în energie electrică, eficienţa acestora depinde foarte mult de starea suprafeţei Si, de transparenţa ITO şi de parametri electrofizici ale componentelor menţionate. Reieşind din aceste considerente, scopul lucrării este studiul dependenţilor menţionate. Prelucrarea unei suprafeţe a plachetei de siliciu pe care urma să fie depuse straturile subţiri ITO (în toate cazurile a fost latura lustruită a plachetei) a demonstrat că eficienţa maximă se obţine în cazul tratării suprafeţei de Si în HF timp de 2 minute. Factorul principal, care determină cantitatea energiei solare incidente absorbită în Si, este transparenţa ITO, care variază în dependenţa de grosimea acesteia. S-a demonstrat, eficienţa maximală de conversie a radiaţiei solare în energie electrică o posedă probele cu grosimea stratului ITO de 0.2 – 0.3μm. Dependenţa parametrilor fotovoltaici ai structurilor ITO/SiO2/n-Si de parametri electrofizici ai siliciului este de aşteptat să fie cea mai puternică, deoarece siliciu este principala componentă a structurii, fiind absorbantul radiaţiei solare şi fiind regiunea, unde au loc principalele procese fizice ce asigură conversia fotovoltaică a acestei iradieri. Din aceste considerente reiese că cu cât valoarea numerică a lungimii de difuzie este mai mare, cu atât mai mult este asigurată separarea purtătorilor de sarcină de joncţiunea dispozitivului. Rezultatul obţinut demonstrează necesitatea de utilizare în formarea joncţiunilor cu destinaţie fotovoltaică a plachetelor de siliciu cu lungimea de difuzie a purtătorilor de sarcină de neechilibru nu mai mică de 150 μm.