Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
710 4 |
Ultima descărcare din IBN: 2020-11-29 12:46 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
537.9+53.06+53.043 (3) |
Electricitate. Magnetism. Electromagnetism (404) |
SM ISO690:2012 НИКОЛАЕВА, Анна, KONOPKO, Leonid, ПАРА, Георгий, ГЕРГИШАН, Игор, БОТНАРЬ, Оксана. Термоэлектрические свойства и осцилляции Шубникова–де Гааза в нитях Bi, легированных Sn. In: Электронная обработка материалов, 2018, nr. 4(54), pp. 26-31. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.1345714 |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | |||||
Numărul 4(54) / 2018 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | |||||
|
|||||
DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.1345714 | |||||
CZU: 537.9+53.06+53.043 | |||||
Pag. 26-31 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Rezumat | |||||
На серии монокристаллических нитей в стеклянной оболочке Bi-0,02ат.%Sn различных диаметров от 0,2 до 1 мкм, изготовленных литьем из жидкой фазы по методу Улитовского, проведен комплекс измерений температурных зависимостей удельного сопротивления (T), термоэдс (T) в области температур 4,2–300 К и магнитополевых зависимостей R(H), осцилляций Шубникова–де Гааза (ШдГ) в продольном и поперечном магнитных полях до 14 Тл в интервале температур 2,1–20 К. Из осцилляций ШдГ рассчитаны минимальные и максимальные циклотронные массы, температура Дингла и положение уровня Ферми T F E в нитях Bi-0,02ат.%Sn. Показано, что при низких температурах проводимость осуществлялась только Т-дырками, то есть T F E расположен в области щели Eg. Установлено, что анизотропия поверхности Ферми Т-дырок не меняется при легировании. Обнаруженные аномалии на температурных зависимостях (T), (T), R(H), зависящие от диаметра нитей d, трактуются с точки зрения проявления гальваномагнитных размерных эффектов. Из экспериментальных данных рассчитан фактор мощности P.f. = 2 для нитей Bi-0,02ат.%Sn разных диаметров в области 4,2–300 К и определено его максимальное значение в различных температурных интервалах. Установлено, что максимальное значение P.f. достигается в области температур 75–100 К, когда термоэдс имеет положительное значение, что является важным фактором для термоэлектрических приложений в области низких температур |
|||||
Cuvinte-cheie термоэлектрическая эффективность, нити полуметаллов, эффект Шубникова–де Гааза., размерные эффекты |
|||||
|
DataCite XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <resource xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xmlns='http://datacite.org/schema/kernel-3' xsi:schemaLocation='http://datacite.org/schema/kernel-3 http://schema.datacite.org/meta/kernel-3/metadata.xsd'> <identifier identifierType='DOI'>10.5281/zenodo.1345714</identifier> <creators> <creator> <creatorName>Nicolaeva, A.</creatorName> <affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Konopko, L.A.</creatorName> <affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Para, G.I.</creatorName> <affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Gherghișan, I.</creatorName> <affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> <creator> <creatorName>Botnari, O.V.</creatorName> <affiliation>Institutul de Inginerie Electronică şi Nanotehnologii "D. Ghiţu" al AŞM, Moldova, Republica</affiliation> </creator> </creators> <titles> <title xml:lang='ru'>Термоэлектрические свойства и осцилляции Шубникова–де Гааза в нитях Bi, легированных Sn</title> </titles> <publisher>Instrumentul Bibliometric National</publisher> <publicationYear>2018</publicationYear> <relatedIdentifier relatedIdentifierType='ISSN' relationType='IsPartOf'>0013-5739</relatedIdentifier> <subjects> <subject>термоэлектрическая эффективность</subject> <subject>нити полуметаллов</subject> <subject>размерные эффекты</subject> <subject>эффект Шубникова–де Гааза.</subject> <subject schemeURI='http://udcdata.info/' subjectScheme='UDC'>537.9+53.06+53.043</subject> </subjects> <dates> <date dateType='Issued'>2018-10-15</date> </dates> <resourceType resourceTypeGeneral='Text'>Journal article</resourceType> <descriptions> <description xml:lang='ru' descriptionType='Abstract'><p>На серии монокристаллических нитей в стеклянной оболочке Bi-0,02ат.%Sn различных диаметров от 0,2 до 1 мкм, изготовленных литьем из жидкой фазы по методу Улитовского, проведен комплекс измерений температурных зависимостей удельного сопротивления (<em>T</em>), термоэдс (<em>T</em>) в области температур 4,2–300 К и магнитополевых зависимостей <em>R</em>(<em>H</em>), осцилляций Шубникова–де Гааза (ШдГ) в продольном и поперечном магнитных полях до 14 Тл в интервале температур 2,1–20 К. Из осцилляций ШдГ рассчитаны минимальные и максимальные циклотронные массы, температура Дингла и положение уровня Ферми <em>T F E </em>в нитях Bi-0,02ат.%Sn. Показано, что при низких температурах проводимость осуществлялась только <em>Т</em>-дырками, то есть <em>T F E </em>расположен в области щели <em>Eg</em>. Установлено, что анизотропия поверхности Ферми <em>Т</em>-дырок не меняется при легировании. Обнаруженные аномалии на температурных зависимостях (<em>T</em>), (<em>T</em>), <em>R</em>(<em>H</em>), зависящие от диаметра нитей <em>d</em>, трактуются с точки зрения проявления гальваномагнитных размерных эффектов. Из экспериментальных данных рассчитан фактор мощности P.f. = 2 для нитей Bi-0,02ат.%Sn разных диаметров в области 4,2–300 К и определено его максимальное значение в различных температурных интервалах. Установлено, что максимальное значение P.f. достигается в области температур 75–100 К, когда термоэдс имеет положительное значение, что является важным фактором для термоэлектрических приложений в области низких температур</p></description> <description xml:lang='en' descriptionType='Abstract'><p>Using a set of glass-insulated Bi–0.02at.%Sn wires with diameters varying in a range of 0.2–1 m prepared by liquid-phase casting via the Ulitovsky method, a complex of measurements of the temperature dependences of resistivity (<em>T</em>), thermoelectric power (<em>T</em>), and magnetic field dependences <em>R</em>(<em>H</em>) in a range of 4.2–300 K and Shubnikov-de Haas (SdH) oscillations in longitudinal and transverse magnetic fields up to 14 T in a temperature range of 2.1–20 K has been conducted. According to the SdH oscillation measurements, the minimum and maximum cyclotron masses, the Dingle temperature, and the position of the Fermi level <em>F </em>in the Bi–0.02at.%Sn wires have been calculated. It has been shown that, at low temperatures, the conduction occurs only through <em>T</em>-holes, i.e., <em>F </em>is located in the region of the band gap <em>E</em><em>g</em>; it has been found that the anisotropy of the Fermi surface of the <em>T</em>-holes does not change after doping. The observed anomalies in the temperature dependences (<em>T</em>), (<em>T</em>), and at longitudinal magnetic field dependences <em>R</em>(<em>H</em>), which depends on the wire diameter <em>d</em>, have been interpreted in terms of the occurrence of galvanomagnetic size effects. From the experimental data, power factor P.f. = 2 for the Bi–0.02at.%Sn wires with different diameters in a range of 4.2–300 K has been calculated as well as the maximum P.f. value in different temperature ranges. It has been found that the maximum P.f. value is achieved in a temperature range of 75–100 K when the thermoelectric power has a positive value, which is an important factor for thermoelectric applications at low temperatures. </p></description> </descriptions> <formats> <format>application/pdf</format> </formats> </resource>