Dezvoltarea durabilă a agenților adaptivi pentru identificarea intruziunilor în sisteme și rețele informaționale
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
179 6
Ultima descărcare din IBN:
2020-02-13 09:59
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
004.056.5 (83)
Știința și tehnologia calculatoarelor. Calculatoare. Procesarea datelor (1586)
SM ISO690:2012
ŞESTACOV, Andrei. Dezvoltarea durabilă a agenților adaptivi pentru identificarea intruziunilor în sisteme și rețele informaționale. In: Acta et commentationes (Ştiinţe Exacte și ale Naturii). 2017, nr. 2(4), pp. 105-118. ISSN 2537-6284.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Acta et commentationes (Ştiinţe Exacte și ale Naturii)
Numărul 2(4) / 2017 / ISSN 2537-6284

Dezvoltarea durabilă a agenților adaptivi pentru identificarea intruziunilor în sisteme și rețele informaționale


CZU: 004.056.5
Pag. 105-118

Şestacov Andrei
 
Academia Militară a Forţelor Armate “Alexandru cel Bun”
 
Disponibil în IBN: 2 septembrie 2018


Rezumat

În prezenta lucrare se cercetează dezvoltarea durabilă a agenților adaptivi pentru identificarea intruziunilor în sistemele și rețelele informaționale fiind structurată în: introducere; dezvoltarea durabilă a agenților adaptivi la identificarea intruziunilor în rețele informaționale; procesul de integrare a agenților adaptivi la identificarea intruziunilor în rețele informaționale; monitorizarea şi analiza activității agenților adaptivi în rețele informaționale; concluzii și bibliografie.

In the present paper is researching sustainable development of adaptive agents to identify intrusion in systems and information network and it is structured in: introduction; sustainable development of adaptive agents to identify intrusion in information network; integration of adaptive agents to identify intrusion in information network; monitoring and analysis activities of adaptive agents in information network; conclusions and bibliography.

Cuvinte-cheie
identificarea intruziunilor, sisteme si rețele informaționale, societate informațională, economie digitală, securitate informaţională, Sisteme de Detecție și Prevenire a Intruziunilor., dezvoltare durabilă

Dublin Core Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<oai_dc:dc xmlns:dc='http://purl.org/dc/elements/1.1/' xmlns:oai_dc='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc/ http://www.openarchives.org/OAI/2.0/oai_dc.xsd'>
<dc:creator>Vatavu, S.</dc:creator>
<dc:creator>von Morze, N.</dc:creator>
<dc:creator>Lux-Steiner, M.</dc:creator>
<dc:creator>Rusu, M.I.</dc:creator>
<dc:creator>Zahn, D.</dc:creator>
<dc:date>2017-07-01</dc:date>
<dc:description xml:lang='en'><p>This work focuses on the fabrication of stoichiometric CuInSe<sub>2</sub> nanostructures with controllable physical parameters of the nanocrystals suitable for hybrid organic/inorganic photovoltaics. CuInSe<sub>2</sub> nanostructures were prepared by the chemical close-spaced vapor transport (CCSVT) method onto Mo/barrier/glass substrates by using an In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> source material and Cu precursors. The In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub> source material was volatilized in H<sub>2</sub> ambience with the addition of HCl vapors at 550&nbsp;&deg;C. Three different types of Cu precursors were used: (i) Cu thin films (6&ndash;250&nbsp;nm thick) deposited by e-beam, (ii) Cu nanoparticles prepared by spray pyrolysis and (iii) Cu nanostructures formed by applying the nanosphere lithography (using a monolayer of 450&nbsp;nm nanospheres). The CCSVT process parameters were varied to reveal the optimum conditions for the preparation of secondary phases free CuInSe<sub>2</sub> nanostructures. The structural characterization by x-ray diffraction in both grazing incidence and &Theta;-2&Theta; configurations revealed the formation of CuInSe<sub>2</sub> chalcopyrite phase independently on the applied precursor type. The elemental composition of the as-prepared CuInSe<sub>2</sub> nanostructures was analyzed by laser ablation-inductively coupled plasma mass-spectrometry. In non-optimised processes, an excess of Se compared to stoichiometric composition was detected and attributed to the formation of molybdenum selenide and indium selenide phases. The formation of the latter secondary phases was suppressed by tuning the CCSVT deposition parameters.</p></dc:description>
<dc:identifier>10.1016/j.tsf.2016.11.002</dc:identifier>
<dc:source>Thin Solid Films  (633) 185-192</dc:source>
<dc:subject>Chemical close-spaced vapor transport</dc:subject>
<dc:subject>Copper indium selenide</dc:subject>
<dc:subject>nanostructures</dc:subject>
<dc:title><p>CuInSe<sub>2</sub> nanostructures prepared by chemical close-spaced vapor transport for hybrid photovoltaic devices</p></dc:title>
<dc:type>info:eu-repo/semantics/article</dc:type>
</oai_dc:dc>