Se prezintă rezultatele studiului efectelor galvanomagnetice în bicristale de torsiune ale aliajelor Bi1-xSbx (0.07 < x < 0.15) în câmpuri magnetice puternice (de până la 40T), direcţionate în planul interfeţelor cristaline. S-a depistat că în bicristalele cu unghi mic de torsionare tranziţiile semiconductor-semimetal sunt induse în cristalite şi straturile componente ale interfeţei la diferite valori ale câmpului magnetic, ceea ce indică o schimbare semnificativă a interacţiunii spin-orbită. Pe de altă parte, în bicristalele cu unghi mare de torsionare în aceleaşi regiuni ale câmpului magnetic asemenea tranziţii nu se detecteză, dar se manifestă în mod evident oscilaţii cuantice, care denotă densităţi mai înalte de stare în componentele interfeţelor, precum şi purtători de sarcină cu masa mult mai mare ca în cristalite. Datele obţinute certifică diverse stări electronice în isolatorul topologic 3D, induse şi controlate de unghiul de dezorientare a cristalitelor şi de câmpul magnetic aplicat.

We report an investigation of the galvanomagnetic effects of twisting bicrystals of Bi1-xSbx (0.07 < x < 0.15) in high (up 40T) magnetic fields, directed along the crystallite interface plane (near the C3 axes of crystallites). It has been found that in bicrystals with small crystallite disorientation angle, the semiconductor-semimetal transition is induced in crystallites and interface layers at different values of magnetic field. On the other hand, in the same region of magnetic fields a semiconductor – semimetal transitions in large disorientation angle interfaces are unlikely, but clearly manifest the quantum oscillations of galvanomagnetic effects, denoting the high density of state in layer components of CI and the heavier than in crystallites charge carriers.