Comportarea nichelului în antimonidul de galiu ca dopant.
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
693 3
Ultima descărcare din IBN:
2024-01-20 12:49
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
538.9+621.382.2/.3 (1)
Fizica materiei condensate. Fizica solidului (349)
Electrotehnică (1145)
SM ISO690:2012
GHEORGHIŢĂ, Andrian, GHEORGHIŢĂ, Eugen, GUŢULEAC, Leonid, CARAMAN, Mihail, KOROLEVSKI, Boris, UNTILĂ, Pantelei, MELINTE, Victoria. Comportarea nichelului în antimonidul de galiu ca dopant.. In: Acta et commentationes (Ştiinţe Exacte și ale Naturii), 2016, nr. 2(2), pp. 44-54. ISSN 2537-6284.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Acta et commentationes (Ştiinţe Exacte și ale Naturii)
Numărul 2(2) / 2016 / ISSN 2537-6284 /ISSNe 2587-3644

Comportarea nichelului în antimonidul de galiu ca dopant.

CZU: 538.9+621.382.2/.3

Pag. 44-54

Gheorghiţă Andrian1, Gheorghiţă Eugen1, Guţuleac Leonid1, Caraman Mihail2, Korolevski Boris1, Untilă Pantelei1, Melinte Victoria1
 
1 Universitatea de Stat din Tiraspol,
2 Universitatea de Stat din Moldova
 
Disponibil în IBN: 1 septembrie 2018


Rezumat

În lucrare se analizează particularitățile proprietăților fizice ale antimonidului de galiu dopat cu nichel pentru un diapazon vast de concentrații, până la 3% atomare și temperaturi (2÷300)K. Din analiza în ansamblu a efectelor galvanomagnetice, optice și de iradiere se evidențiază în premieră un șir de particularități ale proprietăților fizice determinate de interacțiunea purtătorilor de sarcină cu momentul magnetic excitat de structura energetică a substratului electronic incomplet 3d.

This work describes the features of the physical properties of the gallium’s antimonide doped with nickel for a wide range of concentration, of up to 3% atoms and temperatures between (2 ÷ 300) K. After the overall analysis of the galvanomagnetic, optic and irradiation effects, it becomes possible to highlight, for the first time, a number of features of the physical properties determined by the interaction between charge carriers and magnetic moment generated by the energy of uncompleted electronic structure of the substrate 3d.