Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами индия и олова
Închide
Articolul precedent
Articolul urmator
672 0
SM ISO690:2012
ПАНАСЕНКО, Вячеслав, ТКАЧЕНКО, Дмитрий, СТАМОВ, Иван, SÎRBU, Nicolae. Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами индия и олова. In: Telecommunications, Electronics and Informatics, Ed. 6, 24-27 mai 2018, Chișinău. Chișinău, Republica Moldova: 2018, Ed. 6, pp. 143-144. ISBN 978-9975-45-540-4.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Telecommunications, Electronics and Informatics
Ed. 6, 2018
Conferința "Telecommunications, Electronics and Informatics"
6, Chișinău, Moldova, 24-27 mai 2018

Особенности характеристик гетероперходных структур на кристаллах 2-5 с оксидами индия и олова


Pag. 143-144

Панасенко Вячеслав, Ткаченко Дмитрий, Стамов Иван, Sîrbu Nicolae
 
Приднестровский Государственный Университет им. Т.Г.Шевченко
 
 
Disponibil în IBN: 29 mai 2018


Rezumat

The heterojunction of photosensitive structures based on birefractive crystals with indium-tin oxides are obtained. The electric and photoelectric properties are investigated. The photocurrent spectra and electrical characteristics are formed by the parameters of semiconductors and the features of the energy diagrams of heterostructures.

Cuvinte-cheie
бирефрактивные кристаллы, гетеропереходы (ГП), электрические характеристики,

фотоэлектрические свойства