Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
770 0 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.59+53.043 (1) |
Electrotehnică (1154) |
Fizică (1735) |
SM ISO690:2012 АСАДОВ, С., МУСТАФАЕВА, С.. Влияние электронного облучения на перенос заряда в 2D моносульфиде галлия. In: Электронная обработка материалов, 2018, nr. 1(54), pp. 51-57. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.1168364 |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 1(54) / 2018 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
DOI:https://doi.org/10.5281/zenodo.1168364 | ||||||
CZU: 621.315.59+53.043 | ||||||
Pag. 51-57 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Установлены закономерности влияния электронного облучения с энергией 4 MэВ и дозой 2x1012–1013 см-2 на диэлектрические свойства и ac-проводимость на переменном токе 2D слоистого монокристалла GaS в диапазоне частот 5x104–3,5x107 Гц. Показано, что электронное облучение монокристалла GaS приводит к увеличению действительной составляющей комплексной диэлектрической проницаемости, уменьшению ее мнимой составляющей, тангенса угла диэлектрических потерь и ac-проводимости поперек слоев. Как до, так и после электронного облучения проводимость изменялась по закону, характерному для прыжкового механизма переноса заряда по локализованным вблизи уровня Ферми состояниям. Показано, что при температурах 140–238 К в слоистых монокристаллах GaS поперек их естественных слоев в постоянном электрическом поле также имеет место прыжковая проводимость (dc-проводимость) с переменной длиной прыжка по локализованным в окрестности уровня Ферми состояниям. Изучено влияние электронного облучения на электропроводность монокристаллов GaS и параметры локализованных в их запрещенной зоне состояний. С учетом опытных данных, полученных на переменном и постоянном токе, в необлученных и электронно-облученных кристаллах GaS оценены плотность состояний вблизи уровня Ферми и их энергетический разброс, средние расстояния прыжков в области активационной прыжковой проводимости, а также энергия активации прыжков |
||||||
Cuvinte-cheie электронное облучение, 2D кристалл, перенос заряда, переменный и постоянный ток. |
||||||
|