Fabricarea nanostructurilor poroase pe bază de design
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
213 3
Ultima descărcare din IBN:
2020-05-12 19:32
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
539.216+538.945+621.315.592 (1)
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (163)
Fizica materiei condensate. Fizica solidului (200)
Electrotehnică (634)
SM ISO690:2012
MONAICO, Eduard. Fabricarea nanostructurilor poroase pe bază de design. In: Fizica şi Tehnologiile Moderne. 2017, nr. 3-4(59-60), pp. 24-33. ISSN 1810-6498.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Fizica şi Tehnologiile Moderne
Numărul 3-4(59-60) / 2017 / ISSN 1810-6498 /ISSNe 2537-6349

Fabricarea nanostructurilor poroase pe bază de design


CZU: 539.216+538.945+621.315.592
Pag. 24-33

Monaico Eduard
 
Centrul Naţional de Studiu şi Testare a Materialelor, UTM
 
Disponibil în IBN: 17 ianuarie 2018


Rezumat

În lucrare este descrisă aplicarea unui model special de mască fotolitografică în scopul anodizării electrochimice a monocristalelor de InP, care permite modificarea controlată a direcţiei de propagare a porilor, inclusiv a celor care se propagă în direcţii paralele cu suprafaţa superioară a substraturilor. Şabloanele, fabricate au fost utilizate pentru depunerea electrochimică de nanostructuri metalice în direcţiile prestabilite şi pentru a dezvolta reţele bidimensionale de nanotuburi sau nanofire metalice incorporate în matrice semiconductoare.

In the work it is reported the application of a special design of masks for the purpose of electrochemical etching of InP single crystals, which enables a controlled changing the direction of propagation of pores, including those propagating in directions parallel to the top surface of substrates. The fabricated templates have been used to electrochemically deposit metallic nanostructures along predefined directions and to develop two-dimensional arrays of metallic nanotubes or nanowires embedded in a semiconductor matrix.

Cuvinte-cheie
InP poros, electrodepunere în impulsuri, nanotuburi, nanogranule, pori pe bază de design.

Cerif XML Export

<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?>
<CERIF xmlns='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1' xsi:schemaLocation='urn:xmlns:org:eurocris:cerif-1.5-1 http://www.eurocris.org/Uploads/Web%20pages/CERIF-1.5/CERIF_1.5_1.xsd' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' release='1.5' date='2012-10-07' sourceDatabase='Output Profile'>
<cfResPubl>
<cfResPublId>ibn-ResPubl-58334</cfResPublId>
<cfResPublDate>2017-12-21</cfResPublDate>
<cfVol>59-60</cfVol>
<cfIssue>3-4</cfIssue>
<cfStartPage>24</cfStartPage>
<cfISSN>1810-6498</cfISSN>
<cfURI>https://ibn.idsi.md/ro/vizualizare_articol/58334</cfURI>
<cfTitle cfLangCode='RO' cfTrans='o'><p>Fabricarea nanostructurilor poroase pe bază de design</p></cfTitle>
<cfKeyw cfLangCode='RO' cfTrans='o'>InP poros; electrodepunere în impulsuri; nanotuburi; nanogranule; pori pe bază de design.</cfKeyw>
<cfAbstr cfLangCode='RO' cfTrans='o'><p><em>&Icirc;n lucrare este descrisă aplicarea unui model special de mască fotolitografică &icirc;n scopul anodizării electrochimice a monocristalelor de InP, care permite modificarea controlată a direcţiei de propagare a porilor, inclusiv a celor care se propagă &icirc;n direcţii paralele cu suprafaţa superioară a substraturilor. Şabloanele, fabricate au fost utilizate pentru depunerea electrochimică de nanostructuri metalice &icirc;n direcţiile prestabilite şi pentru a dezvolta reţele bidimensionale de nanotuburi sau nanofire metalice incorporate &icirc;n matrice semiconductoare.</em></p></cfAbstr>
<cfAbstr cfLangCode='EN' cfTrans='o'><p><em>In the work it is reported the application of a special design of masks for the purpose of electrochemical etching of InP single crystals, which enables a controlled changing the direction of propagation of pores, including those propagating in directions parallel to the top surface of substrates. The fabricated templates have been used to electrochemically deposit metallic nanostructures along predefined directions and to develop two-dimensional arrays of metallic nanotubes or nanowires embedded in a semiconductor matrix.</em></p></cfAbstr>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>eda2d9e9-34c5-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>759af938-34ae-11e1-b86c-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2017-12-21T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfResPubl_Class>
<cfClassId>e601872f-4b7e-4d88-929f-7df027b226c9</cfClassId>
<cfClassSchemeId>40e90e2f-446d-460a-98e5-5dce57550c48</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2017-12-21T24:00:00</cfStartDate>
</cfResPubl_Class>
<cfPers_ResPubl>
<cfPersId>ibn-person-13275</cfPersId>
<cfClassId>49815870-1cfe-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassId>
<cfClassSchemeId>b7135ad0-1d00-11e1-8bc2-0800200c9a66</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2017-12-21T24:00:00</cfStartDate>
</cfPers_ResPubl>
</cfResPubl>
<cfPers>
<cfPersId>ibn-Pers-13275</cfPersId>
<cfPersName_Pers>
<cfPersNameId>ibn-PersName-13275-2</cfPersNameId>
<cfClassId>55f90543-d631-42eb-8d47-d8d9266cbb26</cfClassId>
<cfClassSchemeId>7375609d-cfa6-45ce-a803-75de69abe21f</cfClassSchemeId>
<cfStartDate>2017-12-21T24:00:00</cfStartDate>
<cfFamilyNames>Monaico</cfFamilyNames>
<cfFirstNames>Eduard</cfFirstNames>
</cfPersName_Pers>
</cfPers>
</CERIF>