Au fost studiate caracteristicile capacitate-tensiune-conductabilitate-frecvenţă ale homojoncţiunilor n -p0-p InP cu şi fără strat frontal n CdS obţinute cu aplicarea tehnologiilor din faza gazoasă în sistemul In-PCl3-H2 şi în volum cvasiînchis. S-a stabilit că distribuirea impurităţilor în regiunea sarcinii de baraj în astfel de joncţiuni este cu gradient liniar, iar la frecvenţele de 7…10 MHz impendanţa structurii este determinată de rezistenţa inductivă. Concentraţia stărilor superficiale pentru structurile n -p0-p InP cu strat frontal de n CdS este cu un ordin mai mică decât fără acest strat, ceea ce va spori eficienţa CF obţinute în baza lor

The capacitance –voltage-conductivity-frequency dependencies of n -po-p InP with and without n CdS frontal layer, obtained by using of gaseous phase epitaxial technology in a In-PCl3-H2 system and deposition in a quasi-closed volume, were studied. It was established that the impurity distribution in the space charge region of such junctions is of a linear gradient, and at the frequencies of 7…10 MHz the structure impedance is determined by the inductance resistance. The surface state concentration in n -po-p InP structures with the n CdS frontal layer is by an order of magnitude lower than in the same structures without it, which can enhance the efficiency of solar cells based on them..