Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
638 0
SM ISO690:2012
ABDURAKHMANOV, B., ИЛИЕВ, Х., ТАЧИЛИН, С., TOSHEV, A., ЭГАМБЕРДИЕВ, Б.. Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов. In: Электронная обработка материалов, 2010, nr. 5(46), pp. 124-126. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 5(46) / 2010 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Влияние микрогетеропереходов кремний–германий на параметры кремниевых солнечных элементов

Pag. 124-126

Abdurakhmanov B., Илиев Х., Тачилин С., Toshev A., Эгамбердиев Б.
 
Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни
 
Disponibil în IBN: 30 martie 2017


Rezumat

It is established, that annealing at 850 °C the monocrystal silicon doped with germanium, reduce to the formation internal microheterojunctions Si/SiGe/Si, which enhancement of efficiency to 2,5 % of solar cells made on its basis.