Обеспечение стабильности параметров полупроводниковых систем (типа наноструктур) по отношению к эффективным внешним влияниям
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
789 0
SM ISO690:2012
ГАЙДАР, Г.П.. Обеспечение стабильности параметров полупроводниковых систем (типа наноструктур) по отношению к эффективным внешним влияниям. In: Электронная обработка материалов, 2010, nr. 6(46), pp. 97-106. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 6(46) / 2010 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Обеспечение стабильности параметров полупроводниковых систем (типа наноструктур) по отношению к эффективным внешним влияниям

Pag. 97-106

Гайдар Г.П.
 
Институт ядерных исследований НАН Украины
 
 
Disponibil în IBN: 29 martie 2017


Rezumat

The particularities of size and structure of nanoobjects leads to set of specific properties. So, the developed surface determines the increased chemical reactivity; the high level of discontinuity results in lack of lattice constant and disturbance translation symmetry; the size of intrinsic variations of potential on distance, which may be commensurable with inter-atomic distances, prejudices the appropriateness of effective mass method; etc. The presence of huge mechanical stresses and difference of thermal expansion coefficients can stimulates the structure degradation processes under change of temperature conditions. The preventive measures to decrease the rate of degradation processes in the nanostructures will be discussed.