Multicrystalline silicon surface texturing using the mixed etching solution of the sodium hydroxide (NaOH) and of the sodium hypochlorite (NaClO) has been investigated. The reaction rate during the texturing process is easier to control due to the presence of NaOCl as an oxidizing agent in NaOH solution. The advantage of this etching is that the uniform mc-Si surface texturing with a low step height and less grain boundary delineation can be obtained. The Mc-Si surface after NaOH-NaOCl mixed etching with the 1:4 ratio in the case of 20% NaOH has the optimum light trapping effect. In the case of the optimum etching condition, the average reflectivity for the textured surface of a large area (156х156 mm2) mc-Si can be reduced to less than 10%.

Цель исследования – изучение текстурирования поверхности поликристаллического кремния, используя для травления смешанный раствор из гидроксида натрия (NaOH) и гипохлорита натрия (NaClO). Скорость реакции было проще контролировать благодаря присутствию гипохлорита натрия в качестве окислителя. Преимущество такого вида травления в том, что можно добиться однородного текстурирования поверхности поликристаллического кремния с меньшей высотой ступени и менее явным очерчиванием межзеренных границ. Оптимальный эффект светового клапана достигается на поверхности поликристаллического кремния в результате травления смешанным NaOH/NaOCl раствором в соотношении 1:4, при содержании NaOH в размере 20%. При оптимальных условиях травления средняя отражательная способность текстурированной поверхности поликристаллического кремния большой площади (156х156 мм2) может быть 10% и меньше.