Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
719 21 |
Ultima descărcare din IBN: 2019-01-04 13:18 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
537.31+539.2 (2) |
Electricitate curentă. Curent electric. Electrocinetică (90) |
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (222) |
SM ISO690:2012 BOTNARIUC, Vasile, CINIC, Boris, COVAL, Andrei, GAŞIN, Petru, GORCEAC, Leonid, RAEVSCHI, Simion. Influienţa tratării termice în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN crescute pe Si(111) prin metoda HVPE
. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2015, nr. 7(87), pp. 9-12. ISSN 1857-2073. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) | |||||
Numărul 7(87) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033 | |||||
|
|||||
CZU: 537.31+539.2 | |||||
Pag. 9-12 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Rezumat | |||||
A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), (HVPE). În spectrele de fotoluminescenţă (FL), la 300 K, ale straturilor netratate se evidenţiază două fâşii de recombinare radiantă, cu maximele la 370 şi 555 nm. La tratarea în azot intensitatea fâşiei 370 nm creşte, iar la tratarea în vid – descreşte. Intensitatea benzii galbene (555 nm), la tratare în ambele medii, scade neesenţial. Se demonstrează că parametrii electrici ai straturilor pot fi, de asemenea, modificaţi prin metoda tratării termice în azot sau în vid, precum şi prin durata de tratare |
|||||
Cuvinte-cheie GaN, Si, HVPE, tratare termică, fotoluminescenţă. |
|||||
|