Influienţa tratării termice în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN crescute pe Si(111) prin metoda HVPE
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
168 21
Ultima descărcare din IBN:
2019-01-04 13:18
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
537.31+539.2 (2)
Electricitate curentă. Curent electric. Electrocinetică (32)
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (51)
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 7(87) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

Influienţa tratării termice în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN crescute pe Si(111) prin metoda HVPE

CZU: 537.31+539.2
Pag. 9-12

Botnariuc Vasile, Cinic Boris, Coval Andrei, Gaşin Petru, Gorceac Leonid, Raevschi Simion
 
Universitatea de Stat din Moldova
 
Disponibil în IBN: 9 martie 2016


Rezumat

A fost studiată influenţa tratării termice la temperaturi ridicate în azot sau în vid asupra proprietăţilor straturilor de GaN depuse pe siliciu prin metoda reacţiilor chimice de transport în sistemul (H2-NH3-HCl-Ga-Al), (HVPE). În spectrele de fotoluminescenţă (FL), la 300 K, ale straturilor netratate se evidenţiază două fâşii de recombinare radiantă, cu maximele la 370 şi 555 nm. La tratarea în azot intensitatea fâşiei 370 nm creşte, iar la tratarea în vid – descreşte. Intensitatea benzii galbene (555 nm), la tratare în ambele medii, scade neesenţial. Se demonstrează că parametrii electrici ai straturilor pot fi, de asemenea, modificaţi prin metoda tratării termice în azot sau în vid, precum şi prin durata de tratare

The influence of high temperature annealing in nitrogen and vacuum of GaN layers deposited by chemical reactions transport (HVPE) in (H2-NH3-HCl-Ga-Al) system on their properties was studied. In the photoluminescence (PL) spectra at 300 K of the untreated layers two recombination radiation bands with the plats at 370 nm and 555 nm were revealed. At the layers heat treatment the intensity of the radiation band at 370 nm increases when at the intensity of the yellow band (555 nm) decreases not significantly at the treatment in the both ambiances. It was shown that the electrical parameters could as well be controlled by using heat treatment in nitrogen and vacuum and this depends on the annealing duration.

Cuvinte-cheie
GaN, Si, HVPE, tratare termică, fotoluminescenţă.