Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
735 0
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315.592 (92)
Electrotehnică (1146)
SM ISO690:2012
ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии
CZU: 621.315.592

Pag. 85-92

Гайдар Г.П.
 
Институт ядерных исследований НАН Украины
 
Disponibil în IBN: 17 ianuarie 2016


Rezumat

В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si.

In the many-valley weakly doped semiconductor single crystals n-Ge and n-Si the anisotropy of mobility of majority charge carriers at Т = 77.4K was investigated and under these conditions the values of the anisotropy parameter of mobility were obtained: K = __/___ = 15.6 – in n-Ge and K = 5.89 – in n-Si.

Cuvinte-cheie
кремний,

германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности