Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
735 0 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.592 (92) |
Electrotehnică (1146) |
SM ISO690:2012 ГАЙДАР, Г.П.. Тензосопротивление как источник информации о параметре анизотропии подвижности K = __| в многодолинных полупроводниках и некоторые новые возможности деформационной метрологии. In: Электронная обработка материалов, 2015, nr. 2(51), pp. 85-92. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | |||||
Numărul 2(51) / 2015 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | |||||
|
|||||
CZU: 621.315.592 | |||||
Pag. 85-92 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Rezumat | |||||
В многодолинных слаболегированных полупроводниковых монокристаллах n-Ge и n-Si методом тензосопротивления исследована анизотропия подвижности основных носителей заряда при Т = 77,4К, и при указанных условиях получены значения параметра анизотропии подвижности: K = __/__ = 15,6 – в n-Ge и K = 5,89 – в n-Si. |
|||||
Cuvinte-cheie кремний, германий, тензосопротивление, параметр анизотропии подвижности |
|||||
|