Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе полиэтилена с включениями TlInS2
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
253 2
Ultima descărcare din IBN:
2019-06-13 08:14
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
541.64:539.26:537.529 (5)
Chimie. Cristalografie. Mineralogie (831)
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (159)
Fenomene electronice şi ionice (107)
SM ISO690:2012
КУЛИЕВ, М.; САМЕДОВ, О.; ИСМАЙИЛОВА, Р.. Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе полиэтилена с включениями TlInS2. In: Электронная обработка материалов. 2013, nr. 2(49), pp. 1-7. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 2(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Температурно-частотная дисперсия диэлектрических характеристик композитов на основе полиэтилена с включениями TlInS2

CZU: 541.64:539.26:537.529
Pag. 1-7

Кулиев М., Самедов О., Исмайилова Р.
 
Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan
 
Disponibil în IBN: 14 decembrie 2015


Rezumat

Представлены результаты исследования дисперсионных зависимостей диэлектрических характеристик композитных структур на основе полиэтилена высокой плотности с включениями сегнетоэлектрического полупроводника TlInS2. Они получены из гомогенной смеси порошков компонентов методом горячего прессования в широком диапазоне концентрации наполнителя, температур и частот измерительного электрического поля. Показано, что температурночастотная дисперсия диэлектрических характеристик исследуемых композитных пленок испы- тывает существенные изменения в области частот f = 103–5×104 Гц и температур Т = 60–1150С. Определено, что гистерезисные явления, в основе которых лежит эффект «асимметрии» температурной эволюции электрически активных дефектов, при нагревании и охлаждении в этих гетерогенных макросистемах возникают при температурах Т1150С.

The study presents the results of dispersion dependences of dielectric characteristics of composite structures based on polyethylene of high density with inclusions of ferroelectric semiconductor TlInS2, which have been manufactured from a homogeneous mixture of powder components by hotpressing in a wide range of filler concentration, temperatures and frequencies of the measuring electric field. It is shown that, the temperature-frequency dispersion of dielectric characteristics of the composite films under study undergoes substantial changes in the ranges of frequencies of f = 103–5·104 and temperatures of T = 60–1150C. It is determined that, the hysteresis phenomena appear at temperatures of T < 1150C, whose main mechanism is the effect of “asymmetry” of temperature evolution of electrically active defects upon heating and cooling in these heterogeneous macrosystems.