Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида брия ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤D≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия pn переходов при значениях 10≤D≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок.

In the present work the surface morphology of epitaxial Pb1-xMnxSe (x = 0.01) films of n- and p-types, obtained on BaF2 (111) substrates by the molecular beam condensation method, have been investigated on the atomic-force microscope (АFМ) before and after influence of gamma-irradiation. It is shown that relief modification takes place in the 5≤D≤35 kGy dose regions. On the base of surface structures it is established that conductivity inversion pn occurs after an irradiationwith 10≤D≤25 kQr, which is confirmed by electrophysical measurements. It is established that after an irradiation with dose over 35 kGy epitaxial films lose their radiation resistance.