Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
807 4 |
Ultima descărcare din IBN: 2017-02-02 10:12 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315+548.552+546.28 (1) |
Electrotehnică (1153) |
Cristalografie (54) |
Chimie anorganică (450) |
SM ISO690:2012 НУРИЕВ, и., МАМИШОВА, Р., ГАДЖИЕВА, Н., РАМАЗАНОВ, М., САДЫГОВ, Р.. Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 1(49), pp. 48-53. ISSN 0013-5739. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 1(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.315+548.552+546.28 | ||||||
Pag. 48-53 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида брия ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤D≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия pn переходов при значениях 10≤D≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок. |
||||||
|
Crossref XML Export
<?xml version='1.0' encoding='utf-8'?> <doi_batch version='4.3.7' xmlns='http://www.crossref.org/schema/4.3.7' xmlns:xsi='http://www.w3.org/2001/XMLSchema-instance' xsi:schemaLocation='http://www.crossref.org/schema/4.3.7 http://www.crossref.org/schema/deposit/crossref4.3.7.xsd'> <head> <doi_batch_id>ibn-41150</doi_batch_id> <timestamp>1713460168</timestamp> <depositor> <depositor_name>Information Society Development Instiute, Republic of Moldova</depositor_name> <email_address>idsi@asm.md</email_address> </depositor> <registrant>Academia de Ştiinţe a Moldovei</registrant> </head> <body> <journal> <journal_metadata> <full_title>Электронная обработка материалов</full_title> <issn media_type='print'>00135739</issn> </journal_metadata> <journal_issue> <publication_date media_type='print'> <year>2013</year> </publication_date> <issue>1(49)</issue> </journal_issue> <journal_article publication_type='full_text'><titles> <title>Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe</title> </titles> <contributors> <person_name sequence='first' contributor_role='author'> <given_name>I.</given_name> <surname>Nuriev</surname> </person_name> <person_name sequence='additional' contributor_role='author'> <given_name>R.</given_name> <surname>Mamişova</surname> </person_name> <person_name sequence='additional' contributor_role='author'> <given_name>N.</given_name> <surname>Gadjieva</surname> </person_name> <person_name sequence='additional' contributor_role='author'> <given_name>M.</given_name> <surname>Ramazanov</surname> </person_name> <person_name sequence='additional' contributor_role='author'> <given_name>P.</given_name> <surname>Sadîgov</surname> </person_name> </contributors> <publication_date media_type='print'> <year>2013</year> </publication_date> <pages> <first_page>48</first_page> <last_page>53</last_page> </pages> </journal_article> </journal> </body> </doi_batch>