Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
214 4
Ultima descărcare din IBN:
2017-02-02 10:12
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315+548.552+546.28 (1)
Electrotehnică (548)
Cristalografie (25)
Chimie anorganică (134)
SM ISO690:2012
НУРИЕВ, и.; МАМИШОВА, Р.; ГАДЖИЕВА, Н.; РАМАЗАНОВ, М.; САДЫГОВ, Р.. Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe. In: Электронная обработка материалов. 2013, nr. 1(49), pp. 48-53. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 1(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Микроскопическое исследование влияния γ-излучения на эпитаксиальные пленки Pb1-xMnxSe

CZU: 621.315+548.552+546.28
Pag. 48-53

Нуриев и.1, Мамишова Р.2, Гаджиева Н.2, Рамазанов М.3, Садыгов Р.1
 
1 Институт Физики НАН Азербайджана,
2 Институт радиационных проблем НАН Азербайджана,
3 Бакинский Государственный Университет
 
Disponibil în IBN: 13 decembrie 2015


Rezumat

Методом атомно-силовой микроскопии исследована морфология поверхности эпитаксиальных пленок n- и p-типов селенида марганца свинца (Pb1-xMnxSe (x = 0,01)) на подложках фторида брия ориентации (111) в исходном состоянии и после воздействия гамма-облучения. Показано, что модификация рельефа поверхности происходит в области поглощенной дозы 5≤D≤35 кГр. На основе особенностей поверхностных структур установлена инверсия pn переходов при значениях 10≤D≤25 кГр, что подтверждается электрофизическими измерениями. Выявлено, что выше 35 кГр нарушается радиационная стойкость этих пленок.

In the present work the surface morphology of epitaxial Pb1-xMnxSe (x = 0.01) films of n- and p-types, obtained on BaF2 (111) substrates by the molecular beam condensation method, have been investigated on the atomic-force microscope (АFМ) before and after influence of gamma-irradiation. It is shown that relief modification takes place in the 5≤D≤35 kGy dose regions. On the base of surface structures it is established that conductivity inversion pn occurs after an irradiationwith 10≤D≤25 kQr, which is confirmed by electrophysical measurements. It is established that after an irradiation with dose over 35 kGy epitaxial films lose their radiation resistance.