We show that the descrete nature of ion beam processing used as a component in the approach of surface charge lithography leads to spatial modulation of the edges of the GaN nanostructures such as nanobelts and nanoperforated membranes. According to the performed Monte Carlo simulations, the modulation of the nanostructure edges is caused by the stochastic spatial distribution of the radiation defects generated by the impacting ions and related recoils. The obtained results pave the way for direct visualization of the networks of radiation defects induced by individual ions impacting a solidstate material.

Показано, что дискретная природа ионно-лучевой обработки, использованной в методе литографии поверхностного заряда, приводит к пространственной модуляции краев наноструктур GaN, таких как наноремни и наноперфорированные мембранны. Согласно расчетов по методу Монте-Карло, модуляция краев наноструктур вызвана стохастическим пространственным распределением радиационных дефектов. Полученные результаты указывают на путь визуализации сети радиационных дефектов, генерируемыми отдельными имплантируемыми ионами.