Электропроводность и диэлектрические свойства композитов ПЭВП/TlInS2
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
846 3
Ultima descărcare din IBN:
2023-12-09 18:04
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
541.64:539.26:537.529 (5)
Chimie. Cristalografie. Mineralogie (2025)
Proprietăţile şi structura sistemelor moleculare (224)
Fenomene electronice şi ionice (145)
SM ISO690:2012
КУЛИЕВ, М., ИСМАЙИЛОВА, Р.. Электропроводность и диэлектрические свойства композитов ПЭВП/TlInS2. In: Электронная обработка материалов, 2014, nr. 6(50), pp. 6-12. ISSN 0013-5739.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 6(50) / 2014 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Электропроводность и диэлектрические свойства композитов ПЭВП/TlInS2
CZU: 541.64:539.26:537.529

Pag. 6-12

Кулиев М., Исмайилова Р.
 
Institute of Radiation Problems, National Academy of Sciences of Azerbaijan
 
 
Disponibil în IBN: 9 decembrie 2015


Rezumat

Из гомогенной смеси порошков полиэтилена высокой плотности (ПЭВП) и полупроводника TlInS2 методом горячего прессования получены композиты полимер/полупроводник. Изучены их электропроводность (ас) и диэлектрические характеристики ( и ) в зависимости от объемного содержания сегнетоэлектрика TlInS2 (0–60%), температуры (20–150С) и частоты (102 – 106 Гц) измерительного электрического поля. Полулогарифмический график проводимости от температуры, то есть кривая ln ас – температура, содержит три участка: первый из них соответствует низкотемпературной части кривой, где ас слабо зависит от температуры, и два других, где ас сильно зависит от последней. График зависимости ас от частоты для композитов ПЭВП TlInS2 показывает, что в низкочастотной области ас растет экспоненциально, а в высокочастотной имеет место ее нелинейный рост. Наблюдаемое уменьшение  с увеличением частоты отражает процесс диэлектрической релаксации. Этот релаксационный процесс подтверждается также максимумом графика (f) при 10 кГц. Предполагаем, что релаксационные процессы в композитных структурах ПЭВП TlInS2 обусловлены межфазовой поляризацией, локальной подвижностью полярных элементов и коротких сегментов основной цепи полимера.

Polymer/semiconductor composites with a controlled spatial distribution of fillers (TlInS2) based on the high density polyethylene (HDPE) have been prepared from a homogeneous mixture of powder components by hotpressing. Their electrical conductivity (ас) and dielectric characteristics ( and ), as a function of ferroelectric semiconductor volume fraction (0–60%), temperature (20–150C), and frequency (102–106 Hz) of the measuring electrical field, have been studied. It was found that a semilogarihtmic plot of the conductivity vs temperature, i.e., the lnас – temperature curve, consists of three regions, one of them being confined to the lower temperature portion of the curve where ас varies but slightly with the increase of temperature; while in two others the value of ас shows a much stronger temperature dependence. A plot of ас vs frequency for the HDPE TlInS2 composites reveals that ас increases exponentially in a low frequency region and shows a nonlinear conduction at higher frequencies. The observed decrease in  at the increase of frequency reflects a dielectric relaxation. This relaxation process was also detected on the (f) plot by a loss peak at around 10 kHz. We have noticed the relaxation processes in composite structures of HDPE TlInS2 attributed to the interfacial polarization, local motions of polar side groups and of small segments of the main polymer chain.

Cuvinte-cheie
полимерные композиты, диэлектрическая релаксация,

проводимость, частота, диэлектрическая проницаемость