Нанокристаллические пленки ZnO были сформированы методом ионно-стимулированного импульсного лазерного осаждения. Исследовано влияние значения соотношения ион/атом на структурные, морфологические и электрофизические параметры нанокристаллических пленок ZnO. Установлено, что при ионном воздействии на тонкие нанокристаллические пленки ZnO существенно изменяются их кристаллическое строение и электрофизические свойства. Показано, что режимами ионной стимуляции возможно контролировать средний диаметр зерен в диапазоне от 75,4 ± 2,0 до 79,1 ± 2,0 нм, шероховатость поверхности в диапазоне от 2,14 ± 1,11 до 7,30 ± 1,25 нм, а также удельное сопротивление и подвижность в диапазоне от (22,6 ± 2)×10-4 до (33,6 ± 2)×10-4 Ом·см и от 28,21 ± 4,60 до 71,92 ± 2,50 см2/(В·с) соответственно.

Nanocrystalline thin films of ZnO have been fabricated by the ion-stimulated deposition assisted by the pulsed laser. The influence of the ion/atom ratio on the structural, morphological and electrical parameters of these films is considered. It is established that in case of an ion action on thin films their structure and electrical properties are significantly changed. It is demonstrated that modes of the ion beam-assisted stimulation can have an effect on: an average grain size ranging from 75.4±2.0 nm to 79.1±2.0 nm, roughness in the range from 2.147±1.115 nm to 7.301±1.251 nm as well as resistivity and mobility in the range from (22.6±2)×10-4 Ohm·cm to (33.6±2)×10-4 Ohm·cm and from 28.21±4.60 cm2/V·s to 71.92±2.50 cm2/V·s, respectively.