Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
258 3
Ultima descărcare din IBN:
2018-08-02 14:39
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
535.2:621.311.243 (1)
Propagarea şi energetica radiaţiei. Fotometrie (7)
Electrotehnică (451)
SM ISO690:2012
BOTNARIUC, Vasile; GAŞIN, Petru; GORCEAC, Leonid; INCULEŢ, Ion; CINIC, Boris; COVAL, Andrei; RAEVSCHI, Simion. Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP. In: Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice). 2015, nr. 2(82), pp. 72-75. ISSN 1857-2073.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Studia Universitatis (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice)
Numărul 2(82) / 2015 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033

Celule fotovoltaice cu heterojoncţiunea nCdS-pInP

CZU: 535.2:621.311.243
Pag. 72-75

Botnariuc Vasile, Gaşin Petru, Gorceac Leonid, Inculeţ Ion, Cinic Boris, Coval Andrei, Raevschi Simion
 
Universitatea de Stat din Moldova
 
Disponibil în IBN: 13 noiembrie 2015


Rezumat

Au fost studiate proprietăţile electrice şi fotoelectrice ale heterojoncţiunilor nCdS-pInP cu şi fără strat epitaxial intermediar poInP. S-a stabilit că la polarizări directe în mecanismul de transport al curentului predomină procesele de recombinare în regiunea de sarcină spaţială. La polarizări inverse predomină procesele de tunelare. Prezenţa stratului epitaxial poInP depus repetat măreşte ISC până la 28,2 mA•cm-2, UCD până la 0,780 V, iar eficienţa conversiei energiei până la 15% la 300 K şi iluminare 100 mW/cm2. Fotosensibilitatea CF nCdS-poInP-pInP corespunde intervalului λ=550...950 nm cu un maximum plat localizat în intervalul λ=700...850 nm.

Electrical and photoelectrical properties of nCdS-pInP hetero-junctions with and without intermediate poInP epitaxial layer were studied. It was established that the current flow mechanism at direct biases is determined mainly by the recombination processes in the space charge region of the junction. At the reverse biases the tunneling processes are predominant. The presence of poInP layer leads to the photo-electrical parameters enhancing of hetero-junction: short circuit current increases up to 28,2 mA•cm -2, open circuit voltage up to 0,780V and the efficiency of solar energy conversion up to 15 % (at 300 K and illumination of 100mw/cm2). The photo-sensitivity of nCdS- poInP -pInP is in the wavelength region of λ= 550-950nm with a maximum localized to λ=700-850nm

Cuvinte-cheie
heterojoncţiune, celulă fotovoltaică, fotosensibilitate.,

eficienţă