Micro-oxidation of silicon surfaces by means of electrical discharges in impulse
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
206 1
Ultima descărcare din IBN:
2017-03-02 20:22
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.9.048.4 (24)
Prelucrare mecanică și așchierea. Prelucrare abrazivă. Ciocane și prese (88)
SM ISO690:2012
TOPALĂ, Pavel; MELNIC, V.; GUZGAN, Dorin. Micro-oxidation of silicon surfaces by means of electrical discharges in impulse. In: Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente. 2013, nr. 2, pp. 32-36. ISSN 1857-0437.
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF
BibTeX
DataCite
Dublin Core
Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente
Numărul 2 / 2013 / ISSN 1857-0437

Micro-oxidation of silicon surfaces by means of electrical discharges in impulse

CZU: 621.9.048.4
Pag. 32-36

Topală Pavel1, Melnic V.2, Guzgan Dorin1
 
1 Alecu Russo Bălţi State University,
2 Technical University of Moldova
 
Disponibil în IBN: 7 octombrie 2015


Rezumat

The paper presents the results of the theoretical and experimental study of the formation of oxide films on silicon surfaces by means of rapid thermal oxidation in plasma caused by electrical discharges in impulse. The oxidation process has been carried out under normal atmospheric conditions. It has been shown that the properties of the oxide films depend on the processing power as well as the electrode base materials.

Articolul prezintă rezultatele strudiul teoretico-experimental privind formarea peliculelor de oxizi pe suprafeţele din siliciu cu ajutorul oxidării termice rapide în plasma cauzată de descărcările electrice în impuls. Procesul de oxidare a fost obţinut în atmosferă în condiţii normale. Se arată că proprietăţile peliculelor de oxizi depind de puterea disipată pe suprafaţa prelucrată, precum şi de materialul de bază a electrozilor.

Cuvinte-cheie
discharge,

oxidation of silicon surface, oxide films.