Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
641 3 |
Ultima descărcare din IBN: 2023-09-05 13:18 |
SM ISO690:2012 ИСАКОВА, Калина. Электронные, дырочные и экситонные состояния в кремниевых квантовых точках, помещенных в диэлектрическую среду оксида кремния
. In: Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice), 2011, nr. 7(47), pp. 66-72. ISSN 1857-2073. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Studia Universitatis Moldaviae (Seria Ştiinţe Exacte şi Economice) | ||||||
Numărul 7(47) / 2011 / ISSN 1857-2073 /ISSNe 2345-1033 | ||||||
|
||||||
Pag. 66-72 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
În ultimii câţiva ani o atenţie sporită se acordă studiului proprietăţilor fizice ale structurilor semiconductoare cu dimensiuni reduse datorită perspectivelor de utilizare a lor în diverse domenii. În prezenta lucrare se cercetează proprietăţile excitonice ale punctelor cuantice din siliciu, amplasate într-un mediu dielectric. În cadrul aproximaţiei masei efective au fost calculate nivelele energetice electronice şi de gol utilizând teoria nevariaţională. Rezultatele obţinute se află întrun acord bun ce datele experimentale. |
||||||
|