În această lucrare este descris procesul de fabricare şi proprietăţile fotoelectrice ale convertoarelor fotovoltaice bazate pe structurile TiO2/CdSe şi TiO2/CdTe. Cele mai bune valori ale tensiunii circuitului deschis şi ale densităţii curentului de scurtcircuit pentru structura TiO2/CdSe sunt 0,43 V şi, respectiv, 9,12 mA/cm2 , iar pentru dispozitivul cu CdTe –0,59 V şi 9,5 mA/cm2, respectiv. Eficienţa cea mai ridicată pentru structura TiO2/CdSe este de 1,63%, iar pentru TiO2/CdTe – de 1,98%.

TiO2/p-CdTe AND TiO2/n-CdSe photovoltaic devices This paper describes the fabrication process and photoelectrical properties of thin film photovoltaic devices based on TiO2/CdSe and TiO2/CdTe structures. The best open circuit voltage and the current density achieved for photovoltaic devices with CdSe reaches 0.43 V and 9.12 mA/cm2, but for devices with CdTe 0.59 V and 9.5 mA/cm2, respectively. The highest efficiency achieved for TiO2/CdSe photovoltaic devices is 1.63%, for TiO2/CdTe – 1.98%.