Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
786 6 |
Ultima descărcare din IBN: 2022-06-11 19:57 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.592 (96) |
Electrotehnică (1154) |
SM ISO690:2012 СПОЯЛЭ, Дорин. Электрическая нестабильность в нано-слоистых структурах GaSe, интеркалированных из раствора CdCl2. In: Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente, 2015, nr. 2, pp. 46-52. ISSN 1857-0437. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente | ||||||
Numărul 2 / 2015 / ISSN 1857-0437 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.315.592 | ||||||
Pag. 46-52 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
În lucrarea de faţă sunt prezentate rezultatele cercetărilor a proprietăţilor electrice ale monocristalelor laminare GaSe intercalate din soluţia CdCl2. În procesul de intercalare au fost observate schimbări radicale ale rezistivităţii electrice şi a caracteristicilor curent-tensiune. În primul rând remarcăm faptul apariţiei în dependenţile curent-tensiune a domeniilor cu conductibilitate diferenţială negativă de tip N şi S, care se manifestă la ambele polarităţi ale tensiunii aplicate. În al doilea rând, se evidenţiază o histereză largă a curentului în prosesul de ridicare şi micşorare a tensiunii externe. În al treilea rând, la toate caracteristicile curent-tensiune ridicate se observă instabilitaţi ale curentului electric, care se manifestă printr-o schimbare bruscă şi haotică a curentului odată cu schimbări neesenţiale a tensiunii aplicate. În sfârşit, au fost detectate caracteristicile curent-tensiune cu efect de memristor. Dispozitivele în baza memristorului sunt componente de perspectivă cu aplicaţii în nanoelectronică, pentru crearea memoriei şi circuitelor logice nevolatile superdense, inclusiv pentru computerele neuromorphice. |
||||||
Cuvinte-cheie monocristale laminare GaSe, intercalare, caracteristica curent-tensiune, conductibilitate diferenţială negativă, instabilitaţi ale curentului, histereză, memristor, GaSe single crystals, intercalation, I-U characteristics, negative differential conductivity, current instabilities, hysteresis, memristor |
||||||
|