În lucrare sunt prezentate rezultatele cercetării termoluminiscenţei straturilor subţiri policristaline de ZnSe. Dependenţa spectrală a termoluminiscenţei este formată din două maxime, primul cel mai intens la Tmax = 153K şi al doilea la Tmax = 216K. Valorile energiei de ionizare a nivelelor de captură, Et, determinate din această dependenţă, sunt egale cu 0.062eV şi 0.44eV de la marginea inferioară a benzii de conducţie, iar nivelul de localizare a centrelor de recombinare – la 0.66eV de la marginea superioară a benzii de valenţă.

This paper presents the results of thermoluminescence of polycrystalline thin films of ZnSe . The spectral dependence of the thermoluminescence consists of two maximals, the first is most intense at Tmax = 153K and the second at Tmax = 216K. The values of ionization energy of the capture levels Et, determined from this dependence, are equal to 0.062eV and 0.44eV from the bottom of the conduction band but the level of location of recombination centers – at 0.66eV from the top of valence band.