În lucrare, prin intermediul difracţiei de raze X, se studiază transformările structurale ale cristalelor de GaSe, dispersate mecanic pînă la dimensiuni medii de 0,1÷60 μm şi oxidate termic în atmosferă normală. Lărgirea conturului liniilor de difracţie, cît şi împrăştierea intensă de fond a radiaţiei CuKα de la ansamblurile de plane (100), (101) (004) sunt cauzate de deformaţiile interne, pe cînd deplasările planelor atomice în împachetările stratificate Se-Ga-Ga-Se conduc la transformări de fază. La dimensiuni ale cristalitelor de 10÷5 μm şi mai mici se observă micşorarea intensităţii liniilor de difracţie de la ansamblul de plane (1011) (2010) (1016) ceea ce indică despre păstrarea ordinei de aranjare la distanţe mici.