Straturile subţiri de ZnSe au fost depuse pe suporturi de sticlă prin metoda evaporării termice în vid în volum cvazi-închis. Au fost studiate curbele de relaxare a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe. Timpul de viaţă a purtătorilor de sarcină de neechilibru, determinat din panta dependenţei de tip ln(JFL / JFL (0)) = f (t) este de circa 15.38mm. Dependenţa spectrală a fotoluminiscenţei straturilor subţiri de ZnSe prezintă o curbă cu un maxim localizat la aproximativ 2.01eV. Diferenţa dintre lărgimea benzii interzise (Eg = 2.67eV) şi energia acestui maxim ne indică un nivel de localizare al centrelor de recombinare.

ZnSe thin films were deposited onto glass substrates by the quasi-closed volume evaporation technique under vacuum. The relaxation curves of the photoluminescence of the thin films of ZnSe were studied. The lifetime of charge carriers of unbalance, determined from dependence slope of type ln(JFL / JFL (0)) = f (t) is about 15,38mm. Spectral dependence of the photoluminiscence of the thin films of ZnSe presents a curve with an maximum located at about 2.01eV. The difference between the width of the forbidden band [Eg = 2.67eV] and this maximum energy indicates the level of the location of the recombination centers.