| Conţinutul numărului revistei |
| Articolul precedent |
| Articolul urmator |
 |
 717 1 |
| Ultima descărcare din IBN: 2020-12-23 14:22 |
 SM ISO690:2012ГАЙДАР, Г.П.. Влияние термоотжига и условий охлаждения кристаллов n-Si на температурные зависимости подвижности носителей заряда в области примесного рассеяния. In: Электронная обработка материалов, 2013, nr. 6(49), pp. 74-79. ISSN 0013-5739. |
| EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
 Электронная обработка материалов |
||||||
| Numărul 6(49) / 2013 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
| Pag. 74-79 | ||||||
|
||||||
 Descarcă PDF |
||||||
| Rezumat | ||||||
Исследованы изменения температурных зависимостей подвижности носителей заряда в монокристаллах n-Si , выращенных методом Чохральского, которые отжигались и охлаждались при различных условиях. Кристаллы с удельным сопротивлением β300K = 0,3 и 4,4 Oм-cм отжигались при 1200 и 500оС в течение двух часов. Отжиг сопровождался быстрым (- 1000oC/мин) или медленным (- 1oC/мин) охлаждением. Показано, что подвижность свободных носителей заряда в случае примесного рассеяния определяется не только условиями термоотжига, но и скоростью охлаждения.
single crystals, grown by the Czochralski method, annealed and cooled under various conditions, have been investigated. The crystals with resistivities β300K = 0.3 and 4.4 Ohmcm have been annealed at 1200 and 500oC, during 2 hours. The annealing has
been accompanied by fast (- 1000oC/min) or slow (- 1oC/min) cooling. The mobility of free carriers in the case of impurity scattering is shown to be determined not only by thermal-annealing conditions but also by the rate of cooling. |
||||||
| Cuvinte-cheie кремний, примесное рассеяние, подвижность носителей заряда, термоотжиг, условия охлаждения. |
||||||
|
|
|
|
