В диапазоне температур 80–300K изучены особенности радиотермолюминесценции гамма-облученных боросиликатов. Выявлено, что кривые термовысвечивания B2O3/SiO2 характеризуются наличием узкого пика при температуре T = 136K с энергией активации Ea =0,16 эВ и широкого асимметричного пика при T = 178K с Ea = 0,28K с плечом при T = 205K c Ea = 0,32 эВ. Установлено, что пик РТЛ при 136K относится к радиационному электронному центру, а пики при 178 и 205K – к дырочным центрам типов B3 и B4 соответственно. Показа- но, что при содержании B2O3 в SiO2 ~ 1,5 масс.% облучение малыми дозами Dγ ≈ 0,5–30 кГр приводит к изменению координационного окружения бора от тетраэдрического к тригональному. При Dγ ≤ 30 кГр формируется радиационностойкая стабильная структура боросиликата с максимальным содержанием тригонально-координированных атомов бора.

Peculiarities of radiothermoluminescence (RTL) in gamma irradiated boron silicates are investigated in the range of temperatures 80–300K. It is found out that RTL curves B2O3/SiO2 are characterized by the presence of a narrow peak at T = 136K with the energy of activation Ea = 0.16 eV, and of a wide asymmetric peak at T = 178K with Ea = 0.28K, with a shoulder at T = 205K with Ea = 0.32 eV. It is established that the RTL peak at 136K is attributed to the radiating electronic centre, while peaks at 178K and 205K – to the hole centres of B3 and B4 types, respectively. It is shown that in maintaining B2O3 in SiO2 ~1.5 mas. %, the irradiation in small doses of Dγ ≈ 0.5–30 kGy leads to the transition of the coordination environment of boron from tetrahedric into the trigonal one. At Dγ ≤ 30 kGy, the radiation-proof stable structure of boron silicates with the maximal content of trigonally coordinated boron atoms is formed.