This study presents a brief analysis of Zn1xMgxO and (GaxIn1x)2O3 thin films deposited on Si substrates by the spin coating method. The morphology and chemical composition of the prepared thin films were studied by scanning electron microscopy (SEM) and energy dispersive X-ray (EDX) analysis. The evolution of the crystal structure with a change in the film composition and the technological conditions for annealing after spin coating was studied by X-ray diffraction (XRD) analysis. The annealing atmosphere and temperature were optimized in terms of producing films with a stoichiometric composition and a high crystalline quality.

Acest studiu prezintă o scurtă analiză a filmelor subțiri de Zn1xMgxO și (GaxIn1x)2O3 depuse pe substraturi de Si prin metoda spin coating. Morfologia și compoziția chimică a filmelor subțiri obținute au fost studiate prin microscopie electronică cu scanare (SEM) și analiză cu raze X cu dispersie de energie (EDX). Evoluția structurii cristaline odată cu modificarea compoziției filmului și a condițiilor tehnologice de recoacere după depunerea prin metoda spin coating, a fost investigată prin analiza de difracție cu raze X (XRD). Atmosfera de recoacere și temperatura au fost optimizate din punct de vedere al obținerii filmelor cu compoziție stoichimetrică și structură cristalină de calitate înaltă.