Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
464 9 |
Ultima descărcare din IBN: 2024-03-18 05:17 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
537.9+53.06+53.043 (3) |
Electricitate. Magnetism. Electromagnetism (407) |
SM ISO690:2012 НИКОЛАЕВА, Альбина, KONOPKO, Leonid, ХУБЕР, Тито, ПОПОВ, Иван, ПАРА, Георгий, БОТНАРЬ, Оксана. Особенности продольного магнитосопротивления и осцилляции Шубникова-де Гааза в полупроводниковых нитях Bi1-xSbx. In: Электронная обработка материалов, 2020, nr. 6(56), pp. 73-80. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.4305606 |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 6(56) / 2020 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
DOI:https://doi.org/10.5281/zenodo.4305606 | ||||||
CZU: 537.9+53.06+53.043 | ||||||
Pag. 73-80 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Исследовались особенности проявления свойств топологических изоляторов (ТИ) и квантовых размерных эффектов на продольном магнитосопротивлении (ПМС) (HII) монокристаллических полупроводниковых нитей Bi-17ат%Sb с ориентацией (1011) вдоль оси, полученных литьем из жидкой фазы по методу Улитовкого, с диаметрами от 75 нм до 1000 нм. В области высоких температур (T > 50 К) квантовый размерный эффект проявляется в росте энергетической щели Δ E ~ d-1 полупроводниковых нитей Bi-17ат%Sb с уменьшением диаметра нитей d. При уменьшении температур (T < 50 K) наблюдался переход от полупроводниковой зависимости R(T) к металлической с уменьшением диаметра нитей d, указывающий на наличие поверхностных состояний, присущих ТИ. В области диаметров 200–350 нм на продольном магнитосопротивлении HII в слабых магнитных полях (H < 3 T) наблюдались осцилляции Шубникова де Гааза (ШдГ), из которых были рассчитаны температура Дингла, циклотронная масса, длина свободного пробега носителей и подвижность носителей заряда μ = 11x103 см2/сек. На ПМС нитей Bi-17ат%Sb при 4,2 К обнаружена особенность в виде сдвига фазы уровней Ландау ШдГ осцилляций и аномального максимума на толщинной зависимости ПМС при 4,2 К, связанные с переходом полупроводник – металл за счет существенного вклада в проводимость поверхностных состояний ТИ. В совокупности особенности на продольном магнитосопротивлении, сдвиг фазы ШдГ осцилляций, большие подвижности носителей заряда, высокая анизотропия циклотронных масс и подвижностей, возрастание проводимости с уменьшением диаметра нитей d, указывают на наличие поверхностных состояний в тонких полупроводниковых нитях Bi1-xSbx, с энергией Ферми типа «конуса Дирака», высокочувствительных к диаметру, температуре, величине и направлению магнитного поля и приводящих к новым особенностям транспортных свойств топологических изоляторов в размерно-ограниченных структурах. |
||||||
Cuvinte-cheie монокристаллические нанонити, топологический изолятор, квантовые осцилляции, продольное магнитосопротивление, поверхностные состояния, квантовый размерный эффект, Single-crystal nanowires, topological insulator, quantum oscillations, longitudinal magnetoresistance, surface state, quantum size effect |
||||||
|