Функциональные возможности кремния с нанокластерами атомов марганца
Închide
Conţinutul numărului revistei
Articolul precedent
Articolul urmator
645 13
Ultima descărcare din IBN:
2022-01-13 17:41
Căutarea după subiecte
similare conform CZU
621.315.592 (92)
Electrotehnică (1146)
SM ISO690:2012
БАХАДИРХАНОВ, М., ИСАМОВ, С., ЗИКРИЛЛАЕВ, Н., ИЛИЕВ, Х., MAVLONOV, G., КОВЕШНИКОВ, С., ИБОДУЛЛАЕВ, Ш.. Функциональные возможности кремния с нанокластерами атомов марганца. In: Электронная обработка материалов, 2020, nr. 2(56), pp. 14-20. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.3747823
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Электронная обработка материалов
Numărul 2(56) / 2020 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718

Функциональные возможности кремния с нанокластерами атомов марганца

DOI: https://doi.org/10.5281/zenodo.3747823
CZU: 621.315.592

Pag. 14-20

Бахадирханов М., Исамов С., Зикриллаев Н., Илиев Х., Mavlonov G., Ковешников С., Ибодуллаев Ш.
 
Ташкентский государственный технический университет имени А.Р.Беруни
 
Disponibil în IBN: 24 aprilie 2020


Rezumat

Показано, что кремний с нанокластерами атомов марганца обладает уникальными электрическими, фотоэлектрическими, магнитными и фотомагнитными свойствами, которые отсутствуют в обычных легированных полупроводниковых материалах. Образцы выявили аномально высокую примесную фоточувствительность в области λ = 1–3 мкм, большое отрицательное магнетосопротивление при комнатной температуре, а также новые термомагнитные и фотомагнитные эффекты, которые наблюдались в том же образце. Найдены оптимальные электрофизические параметры образцов. Особенности наблюдаемых физических эффектов позволяют создавать на основе таких материалов принципиально новые многофункциональные датчики физических величин

The paper reports that silicon with nanoclusters of manganese atoms has unique electrical, photoelectric, magnetic, and photomagnetic properties absent in ordinary doped semiconductor materials. The samples revealed an anomalously high impurity photosensitivity in the region of λ = 1–3 μm, a large negative magnetoresistance at room temperature, as well as new thermomagnetic and photomagnetic effects, which were observed in the same sample. Optimal electrophysical parameters of the samples were found. A unique set of observable physical effects allows to create fundamentally new multifunctional sensors of physical quantities based on such materials.

Cuvinte-cheie
кремний, кластеры марганца, магнетосопротивление, термомагнитные и фотомагнитные датчики,

Silicon, manganese clusters, Magnetoresistance, thermomagnetic, photomagnetic, Sensors