Sunt prezentate rezultatele cercetării spectrelor de fotoluminescenţa (FL) ale cristalelor ZnSe intrinsece şi dopate cu Mn, Mn Al, Mn Cr. În spectrul FL la 300K a fost observată banda IR cu maximul în intervalul 950 - 960 nm (~1, 3 eV). În eşantioanele dopate cu Mn dependenţa intensităţii benzii IR de concentraţia Mn introdus în cristal nu este uniformă. Tratarea termică a cristalelor în topitură de zinc stinge complet iradierea IR. Intensitatea iradierii IR creşte odată cu mărirea concentraţiei Mn în topitura Mn Bi. Se presupune că luminescenţa în regiunea IR a spectrului este determinată de centre care includ vacanţa de zinc. Intensitatea iradierii intracentru de mangan creşte după tratarea termică în topitura de zinc, odată cu stingerea completă a iradierii IR. Se analizează mecanismul iradierii IR în ZnSe şi concurenţa acesteia cu iradierea intracentru de Mn.

The results on photoluminescence (PL) study of undoped ZnSe crystals and those doped with Mn, Mn Al, Mn Cr are reported. The IR PL band with maximum at 950 – 960 nm (1.3 eV) was found in the PL spectra of both sample types at 300K. The samples doped with Mn during the growth process do not show uniform dependence of IR PL band intensity on Mn concentration. The thermal annealing of the as-grown samples in Zn melt completely quenches the IR emission. The intensity of IR emission increases with increasing of Mn concentration in the Mn Bi melt. It is supposed that IR luminescence is caused by emission centers which contain VZn. The intensity of the intra-shell emission within the Mn ion increases in the samples annealed in Zn melt, however, IR band disappears. Different mechanisms of competition between intra-shell and IR luminescence and IR PL emission are discussed.