Articolul precedent |
Articolul urmator |
590 3 |
Ultima descărcare din IBN: 2023-03-10 11:23 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.382 (52) |
Electrical engineering (1153) |
SM ISO690:2012 POPA, Mihail. Cercetări privind aplicarea unor straturi subțiri de compuși semiconductori AIIBVI în celulele solare pe bază de perovskite. In: Traditie şi inovare în cercetarea ştiinţifică, 12 octombrie 2018, Bălți. Bălți: Universitatea de Stat „Alecu Russo" din Bălţi, 2018, Ediția 8, pp. 137-143. ISBN 978-9975-50-235-1. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Traditie şi inovare în cercetarea ştiinţifică Ediția 8, 2018 |
||||||
Conferința "Traditie și inovare în cercetarea științifică" Bălți, Moldova, 12 octombrie 2018 | ||||||
|
||||||
CZU: 621.382 | ||||||
Pag. 137-143 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
In the work were presented preparation and research techniques of the electrical properties of the perovskite solar cells, in which ZnS, ZnSe and ZnTe thin films were applied. Using these layers as the electron transport layer (ETL), a power conversion efficiency (PCE) of about 2.57% was obtained, and cells with hole transport layer (HTL) the PCE achieved a maximum 2.14%. By doping ETL and HTL with chalcogenides a maximum yield of 3.98% was obtained. Preparation of solar cells with two layers of ETL or HTL increased of PCE to 7.40% maximum. By doping bulk heterojunction of perovskite with the calcogenide thin layers has increased PCE of cells up to 13.84%. |
||||||
Cuvinte-cheie perovskite, ETL, HTL, ITO, PEDOT:PSS, PCBM, PCE |
||||||
|