Articolul precedent |
Articolul urmator |
519 1 |
Ultima descărcare din IBN: 2020-05-12 20:00 |
SM ISO690:2012 СТАМОВ, Иван. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка. In: Microelectronics and Computer Science: The 5th International Conference, Ed. 8, 22-25 octombrie 2014, Chisinau. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Tehnică a Moldovei, 2014, Ediția 8, pp. 188-191. ISBN 978-9975-45-329-5.. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Microelectronics and Computer Science Ediția 8, 2014 |
|||||
Conferința "Microelectronics and Computer Science" 8, Chisinau, Moldova, 22-25 octombrie 2014 | |||||
|
|||||
Pag. 188-191 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Rezumat | |||||
Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов на α и β модификациях дифосфида цинка. Изучены анизотипные p(β) – n(α) и изотипные n1(β) – n2(α) структуры. Показано, что спектральные характеристики фототока определяются электронными переходами в каждой из фаз, ориентацией плоскости поляризации и волнового вектора излучения относительно кристаллографических направлений фаз в структуре и границы раздела гетероперехода. Обнаружены особенности в спектральной характеристике фототока, связанные, с дефектами слоев и границы раздела гетероперехода. |
|||||
Cuvinte-cheie гетеропереходы, полиморфизм, эпитаксия, фотоэлектрические свойства, анизотропия |
|||||
|