Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка
Close
Articolul precedent
Articolul urmator
519 1
Ultima descărcare din IBN:
2020-05-12 20:00
SM ISO690:2012
СТАМОВ, Иван. Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка. In: Microelectronics and Computer Science: The 5th International Conference, Ed. 8, 22-25 octombrie 2014, Chisinau. Chișinău, Republica Moldova: Universitatea Tehnică a Moldovei, 2014, Ediția 8, pp. 188-191. ISBN 978-9975-45-329-5..
EXPORT metadate:
Google Scholar
Crossref
CERIF

DataCite
Dublin Core
Microelectronics and Computer Science
Ediția 8, 2014
Conferința "Microelectronics and Computer Science"
8, Chisinau, Moldova, 22-25 octombrie 2014

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов на основе структурных модификаций дифосфида цинка


Pag. 188-191

Стамов Иван
 
Приднестровский Государственный Университет им. Т.Г.Шевченко
 
Disponibil în IBN: 18 aprilie 2019


Rezumat

Исследованы фотоэлектрические свойства гетеропереходов на α и β модификациях дифосфида цинка. Изучены анизотипные p(β) – n(α) и изотипные n1(β) – n2(α) структуры. Показано, что спектральные характеристики фототока определяются электронными переходами в каждой из фаз, ориентацией плоскости поляризации и волнового вектора излучения относительно кристаллографических направлений фаз в структуре и границы раздела гетероперехода. Обнаружены особенности в спектральной характеристике фототока, связанные, с дефектами слоев и границы раздела гетероперехода.

Cuvinte-cheie
гетеропереходы, полиморфизм, эпитаксия, фотоэлектрические свойства, анизотропия