Из гомогенной смеси порошков сверхвысокомолекулярного полиэтилена (СВМПЭ) и диоксида кремния (alfa-SiO2) методом горячего прессования получены композиты СВМПЭ/SiO2. Изучены температурная зависимость (20–170 gradeС) их удельной электропроводности sigmadс до и после gama-облучения (D = 200 кГр), влияние поглощенной дозы на значение sigmadс (дозовая зависимость), а также поведение функции lgsigmadc = f(T) в условиях нагрева-охлаждения и частотные зависимости (25–106 Гц) вещественной (ε/) и мнимой (ε//) частей комплексной диэлектрической проницаемости. Показано, что зависимость lg sigmadc = f(T) в обоих случаях имеет сложный характер: наблюдаются «изломы», связанные с фазовыми переходами. С увеличением концентрации alfa-SiO2 в матрице возрастают значения ε/ и ε// (tgδ), а зависимости этих величин от частоты отвечают экспоненциальному закону.

Ultra-high-molecular polyethylene (UHMPE)/ SiO2 composites were obtained from a homogeneous mixture of UHMPE and silicon dioxide powders by hot pressing method. Under study were: the temperature dependence (20–170 gradeС) of their conductivity sigmadс before and after g-irradiation (D = 200 kGy); the influence of the absorbed dose on the value of sigmadс (dose dependence), as well as the behavior of the function lgsigmadc = f(T) under the conditions of heating-cooling and the frequency dependence (25–106 Hz) of the real (ε/) and imaginary (ε//) parts of the complex dielectric permittivity. It was shown that the dependence lg sigmadc = f(T) in both cases has a complicated character: "fractures" are observed resulting from the phase transition. With an increase of the alfa-SiO2 concentration in the matrix, a growth in the values of ε/ and ε// (tgδ) is observed, whereas the dependence of these values on frequency corresponds to the exponential law.