Исследовано влияние различных примесей на кинетику электронных процессов в монокристаллах n-Ge(Sb). Установлено существенное снижение подвижности носителей заряда в области преимущественно примесного рассеяния (при 77 К) в кристаллах n-Ge(Sb Si), а также в кристаллах германия с примесью редкоземельных элементов, и дано объяснение полученному эффекту.

The effect of various impurities on the kinetics of electronic processes in n-Ge(Sb) single crystals was investigated. In the crystals of n-Ge(Sb Si) and of germanium doped with the rare earth elements, the substantial decrease of the charge carrier mobility in the region of predominantly impurity scattering (at 77 K) was established, and the explanation of this effect was given.