Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
965 8 |
Ultima descărcare din IBN: 2021-05-04 18:47 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
537.311.322 (29) |
Current electricity. Electric current. Electrokinetics (90) |
SM ISO690:2012 NICORICI, Valentina, CHETRUŞ, Petru, NICORICI, Andrei. Distribuţia impurităţii de Ga în cristalele PbTe crescute prin metoda de sublimare zonală. In: Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente, 2015, nr. 2, pp. 13-17. ISSN 1857-0437. |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Fizică şi tehnică: procese, modele, experimente | |||||
Numărul 2 / 2015 / ISSN 1857-0437 | |||||
|
|||||
CZU: 537.311.322 | |||||
Pag. 13-17 | |||||
|
|||||
Descarcă PDF | |||||
Rezumat | |||||
În lucrarea dată sunt prezentate rezultatele cercetărilor fenomenelor de transport în calcogenidele de plumb dopate cu Ga (NGa= 0,5 at. %) în procesul de creştere prin metoda sublimării zonale. Eşantioanele studiate spre deosebire de cristalele PbTe nedopate aveau conductibilitate electrică de tip n. Lungimea cristalelor crescute a fost de 5- 6 cm, avînd concentraţia electronilor de la 2,7·1019 сm-3 (segmentul iniţial) pînă la 6,4·1018 сm-3 (segmentul final). În eşantionul cu NGa= 0,5 at.% concentraţia electronilor practic nu depinde de temperatură, ceea ce este legat cu fixarea nivelului Fermi. Cristalele au fost supuse tratamentului termic (la 5400С şi la 6500С) cu cercetarea intermediară a proprietăţilor galvanomagnetice. Tratarea la 5400С duce la micşorarea concentraţiei purtătorilor de sarcină cu 2-3 ordine de mărime (pînă la 1,4·1016 сm-3) şi creşterea mobilităţii lor pînă la 3.104 сm2/V·s (la 80К). Tratarea la 6500С modifică
tipul conductibilităţii electrice din n- în p-tip şi micşorează mobilitatea purtătorilor de sarcină pînă la ~ 9000 cm2/V·s. |
|||||
Cuvinte-cheie cristalele PbTe cu banda interzisă îngustă, impuritatea de Ga, proprietăţile galvanomagnetice, tratarea termică, narrow-gap PbTe crystals, impurity of Ga, galvanomagnetic properties, isothermal annealing |
|||||
|