Summary. Investigation of phase transitions related to changes in the crystalline structure of solid state materials represents an extremely important area of condensed mater physics, since they lead to reconfiguration of all the solid state physical properties, including electrical, optical, vibrational, elastic and mechanical properties. Hydrostatic pressure is one of the basic factors leading to the realization of phase transitions. Gaining knowledge of regularities and peculiarities of pressure induced phase transitions is important both from the fundamental and applicative point of view. In spite of multilateral investigation of this subject in elemental, binary and some ternary compounds, less attention has been paid to ordered-vacancy compounds. At the same time, possibilities to control the stoichiometric defects by applying hydrostatic pressure open new opportunities for defect engineering in such compounds. This review paper summarizes the results of investigations of phase transitions in ternary AIIBIII 2CVI 4 compounds, which represent a subclass of ordered-vacancy compounds. Investigations were performed by Raman spectroscopy, X-ray diffraction, and optical absorption spectroscopy in crystals with initial crystallographic structure from three categories, including tetragonal, spinel, and rhombohedral layered structures. The dynamics of pressure induced changes is described. The regularities and the systematics of phase transitions in this class of semiconductor materials are revealed.

Studiul tranzițiilor de fază legate de schimbarea structurii cristaline a corpului solid constituie un domeniu extrem de important al fizicii stării condensate, deoarece acestea conduc inevitabil la reconfigurarea tuturor proprietăților fizice ale corpului solid, inclusiv ale celor electrice, optice, vibraționale, elastice și mecanice. Aplicarea presiunii hidrostatice este unul dintre factorii principali care contribuie la realizarea tranzițiilor de fază. Cunoașterea legităților și particularităților tranzițiilor de fază cauzate de presiunea hidrostatică este importantă atât din punct de vedere fundamental, cât și aplicativ. Deși acest subiect a fost multilateral abordat în compușii elementari, binari și unii compuși ternari, compușilor cu vacanțe stoichiometrice a fost acordată puțină atenție. Totodată, posibilitățile de gestionare cu defectele stoichiometrice prin aplicarea presiunii hidrostatice deschid noi oportunități de inginerie a defectelor în astfel de materiale. În lucrare sunt sintetizate rezultatele investigațiilor tranzițiilor de fază în compușii ternari AIIBIII 2CVI 4, care constituie o subclasă a compușilor cu vacanțe stoichiometrice. Investigațiile au fost efectuate cu aplicarea spectroscopiei Raman, difracției razelor X și spectroscopiei optice de absorbție în cristale cu structură cristalografică inițială din trei categorii principale, inclusiv materiale cu structura tetragonală, spinel și romboedrică stratificată. Este descrisă dinamica schimbărilor induse de presiunea hidrostatică. Au fost elucidate regularitățile și sistematica tranzițiilor de fază în această clasă de materiale semiconductoare.