Conţinutul numărului revistei |
Articolul precedent |
Articolul urmator |
156 0 |
Căutarea după subiecte similare conform CZU |
621.315.592 (96) |
Electrical engineering (1154) |
SM ISO690:2012 САТТАРОВ, О., МАВЛЯНОВ, А., АН, А.. Влияние атомов марганца на магнитные свойства кремния. In: Электронная обработка материалов, 2022, nr. 4(58), pp. 46-50. ISSN 0013-5739. DOI: https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.4.46 |
EXPORT metadate: Google Scholar Crossref CERIF DataCite Dublin Core |
Электронная обработка материалов | ||||||
Numărul 4(58) / 2022 / ISSN 0013-5739 /ISSNe 2345-1718 | ||||||
|
||||||
DOI:https://doi.org/10.52577/eom.2022.58.4.46 | ||||||
CZU: 621.315.592 | ||||||
Pag. 46-50 | ||||||
|
||||||
Descarcă PDF | ||||||
Rezumat | ||||||
Показана возможность управления состоянием атомов марганца в решетке кремния, что позволяет варьировать состояние и характер магнитосопротивления материала. Установлены закономерности изменения магнитосопротивления в кремнии с атомами марганца (одиночными атомами и кластерами) в зависимости от температуры, освещения и электрического поля. |
||||||
Cuvinte-cheie магнитосопротивления, кластеры атомов марганца, отрицательное магнитосопротивление, кремний, проводимость, Magnetoresistance, clusters of manganese atoms, negative magnetoresistance, Silicon, conductivity |
||||||
|